针对集成电路先进封装氧化硅键合及膜塑层、3D存储绝缘填充层、光波导光学芯层及包层的制造工艺需求，开展单次生长膜厚4µm及以上高效率低缺陷氧化硅薄膜沉积设备的研发。具体包括研制真空工艺腔体和控制系统，薄膜沉积机台实验室成膜满足300mm晶圆厂标准；通过物质输运、温度场、流场和电场模拟仿真及试验优化，实现样机成膜工艺高均匀度、高可控性、低缺陷度；在集成电路先进封装、3D存储、光波导等领域中进行样机初步验证；在工业产线中不断优化设备和工艺参数，实现技术指标国内领先的优质高效薄膜沉积设备。考核指标：晶圆直径300mm向下兼容；加热盘温度按工艺要求可调，温度范围为室温至550oC；沉积速率每分钟不低于1000nm；不出真空腔体可单次生长4µm及以上氧化硅薄膜，且膜层片内非均匀性<1.5%，片间非均匀性<1%；薄膜应力可调，应力范围-200MPa至200MPa；薄膜硬度>5GPa；薄膜杨氏模量>60GPa；薄膜无裂纹；单次晶圆机械传输，颗粒尺寸不低于0.045µm，增加值小于10颗；单次成膜，颗粒尺寸不低于0.12µm，增加值小于30颗；每小时每个加热盘晶圆产出大于5片；机台正常运行时间>90%。在半导体芯片领域应用示范。预期成果达到国内领先水平。