铁电高分子利用两个稳定的偶极取向状态，以二进制代码“0”或“1”的形式存贮信息，该方式具有掉电不丢数据、超快擦写速度（微/纳秒）、极低的工作电压（1～5V）、高耐久性的特点，适用于便携式电子产品。我校用集成电路常用的光刻技术制备了铁电高分子的光栅或点阵结构，采用干涉光可将特征尺寸缩小到300纳米以下，一家法国公司正在尝试运用该项技术。
采用热压印技术，低成本、高通量制取大规模纳米点阵列，能够在二维平面上直接书写纳米电子数据，存储密度高达75 Gb/ inch2。另外运用挠曲电和力场限域效应设计的存贮设备，存储上限可达2Tb/inch2。

铁电高分子利用两个稳定的偶极取向状态，以二进制代码“0”或“1”的形式存贮信息，该方式具有掉电不丢数据、超快擦写速度（微/纳秒）、极低的工作电压（1～5V）、高耐久性的特点，适用于便携式电子产品。我校用集成电路常用的光刻技术制备了铁电高分子的光栅或点阵结构，采用干涉光可将特征尺寸缩小到300纳米以下，一家法国公司正在尝试运用该项技术。
采用热压印技术，低成本、高通量制取大规模纳米点阵列，能够在二维平面上直接书写纳米电子数据，存储密度高达75 Gb/ inch2。另外运用挠曲电和力场限域效应设计的存贮设备，存储上限可达2Tb/inch2。