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一种铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器及其制备方法
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商品编号
FP202001901538647026
商品权属
自有
交易方式
技术转让
商品价格
¥ 30,000 元
佣金金额
面议

店铺信息

淮安市师苑技术转移有限公司
电话 139xxxx0010
本发明提供了一种新型的铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器及其制备方法,通过制备成铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝的纳米薄膜结构的这一器件,当接入脉冲电压,触发后即可实现对数据的读写,并达到存储的功能。

本发明提供了一种新型的铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器及其制备方法,通过制备成铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝的纳米薄膜结构的这一器件,当接入脉冲电压,触发后即可实现对数据的读写,并达到存储的功能。

商品类型 专利 申请号 ZL201410230353.0 IPC分类号
H01L45/00(2006.01)I
专利类型 发明 法律状态 有权 技术领域
电子信息
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 专利权人
淮阴师范学院
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