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本发明提供了一种新型的铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器及其制备方法,通过制备成铝/铁掺杂的非晶碳膜/铝的纳米薄膜结构的这一器件,当接入脉冲电压,触发后即可实现对数据的读写,并达到存储的功能。
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