本发明涉及太阳能电池制造技术,特指不锈钢衬底上柱状结构硅太阳能电池的制备方法。即先利用原子层沉积(ALD)技术在不锈钢衬底上包覆一层很薄的掺铝氧化锌(AZO)层,再在空气中利用飞秒激光加工方法在覆盖有AZO层的不锈钢衬底上形成微米柱状结构,然后再利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法在其上形成N-I-P结构,最后利用溅射方法制备透明导电电极(ITO),完成纳米线太阳电池的制备。
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