本发明公开了一种低温烧结SiO<sub>2</sub>基微波介质陶瓷材料，由以下质量比组分原料烧结制成：非晶SiO<sub>2</sub>粉末︰MgF<sub>2</sub>粉末︰MnCO<sub>3</sub>粉末＝1︰(0.05‑x)︰x，0.015≤x≤0.03，所述低温烧结SiO<sub>2</sub>基微波介质陶瓷材料的主物相是晶态SiO<sub>2</sub>。本发明还公开了低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，S1、按比例混合MgF<sub>2</sub>粉末和MnCO<sub>3</sub>粉末，并进行加热保温处理得到复合助烧剂粉末；S2、按比例混合复合助烧剂粉末与非晶SiO<sub>2</sub>粉末进行湿法球磨得到混合物；S3、烘干步骤S2获得的混合物并造粒压制成坯料，将坯料进行烧结得到陶瓷材料。本发明低温烧结SiO<sub>2</sub>基微波介质陶瓷材料原料来源广泛、制备方法简便，获得的陶瓷材料介电常数低，品质因数高，烧结温度低，可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。

本发明公开了一种低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料，由以下质量比组分原料烧结制成：非晶SiO2粉末︰MgF2粉末︰MnCO3粉末＝1︰(0.05‑x)︰x，0.015≤x≤0.03，所述低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的主物相是晶态SiO2。本发明还公开了低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料的制备方法，S1、按比例混合MgF2粉末和MnCO3粉末，并进行加热保温处理得到复合助烧剂粉末；S2、按比例混合复合助烧剂粉末与非晶SiO2粉末进行湿法球磨得到混合物；S3、烘干步骤S2获得的混合物并造粒压制成坯料，将坯料进行烧结得到陶瓷材料。本发明低温烧结SiO2基微波介质陶瓷材料原料来源广泛、制备方法简便，获得的陶瓷材料介电常数低，品质因数高，烧结温度低，可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。