本发明涉及一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法及其应用，调控方法包括步骤：烷氧基硅烷、水和HCl的水解聚合反应，制备倍半硅氧烷溶胶；将与SiO<Sub>2</Sub>‑ZrO<Sub>2</Sub>溶胶混合的二氧化硅玻璃颗粒涂覆在多孔玻璃管上，高温条件下煅烧得到膜的过渡层；将半硅氧烷溶胶擦涂在过渡层上，涂完后煅烧得到二氧化硅膜；把二氧化硅膜置于氨气气氛中进行原位反应，得到改性后的二氧化硅膜。本发明的有益效果是：氨气中的原位反应，在二氧化硅结构中形成Si‑NH<Sub>2</Sub>和/或Si‑NH基团，使膜的网络结构变的更加致密，导致H<Sub>2</Sub>的渗透率比初始值降低了大约40％，但其他气体如CO<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>、CH<Sub>3</Sub>等的渗透率比H<Sub>2</Sub>降低的更多，使得改性后的SiO<Sub>2</Sub>膜对H<Sub>2</Sub>具有较高的选择性，该膜在氢气分离系统中对氢气表现出优异的选择性。

本发明涉及一种新型二氧化硅膜孔径的调控方法及其应用，调控方法包括步骤：烷氧基硅烷、水和HCl的水解聚合反应，制备倍半硅氧烷溶胶；将与SiO2‑ZrO2溶胶混合的二氧化硅玻璃颗粒涂覆在多孔玻璃管上，高温条件下煅烧得到膜的过渡层；将半硅氧烷溶胶擦涂在过渡层上，涂完后煅烧得到二氧化硅膜；把二氧化硅膜置于氨气气氛中进行原位反应，得到改性后的二氧化硅膜。本发明的有益效果是：氨气中的原位反应，在二氧化硅结构中形成Si‑NH2和/或Si‑NH基团，使膜的网络结构变的更加致密，导致H2的渗透率比初始值降低了大约40％，但其他气体如CO2、N2、CH3等的渗透率比H2降低的更多，使得改性后的SiO2膜对H2具有较高的选择性，该膜在氢气分离系统中对氢气表现出优异的选择性。