本发明提供一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。该方法以N型硅(n-Si)基片作为衬底,衬底上表面预设两片区域,在其中一片区域,采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳(a-C:Co)膜,然后采用真空热蒸发方法在该碳膜上蒸镀(Ag)层;在另一片区域,直接用真空热蒸发方法将Ag层蒸镀于该区域的n-Si基片上,制备得本器件。经测试,本器件显示出良好的光伏特性,室温下最好,当温度在270 K(-3℃)以上时,温度对光伏效应的影响很小,具有受环境温度影响小,工作稳定度高的优点。
商品类型 | 专利 | 申请号 | ZL201410162603.1 | IPC分类号 | |
专利类型 | 发明 | 法律状态 | 有权 | 技术领域 | |
交易方式 | 技术转让 | 专利状态 | 已授权 | 专利权人 |
面议
面议
面议
面议