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掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法
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商品编号
FP202001901538650301
商品权属
自有
交易方式
技术转让
商品价格
¥ 30,000 元
佣金金额
面议

店铺信息

淮安市师苑技术转移有限公司
电话 139xxxx0010
本发明提供一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。该方法以N型硅(n-Si)基片作为衬底,衬底上表面预设两片区域,在其中一片区域,采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳(a-C:Co)膜,然后采用真空热蒸发方法在该碳膜上蒸镀(Ag)层;在另一片区域,直接用真空热蒸发方法将Ag层蒸镀于该区域的n-Si基片上,制备得本器件。经测试,本器件显示出良好的光伏特性,室温下最好,当温度在270 K(-3℃)以上时,温度对光伏效应的影响很小,具有受环境温度影响小,工作稳定度高的优点。

本发明提供一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。该方法以N型硅(n-Si)基片作为衬底,衬底上表面预设两片区域,在其中一片区域,采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳(a-C:Co)膜,然后采用真空热蒸发方法在该碳膜上蒸镀(Ag)层;在另一片区域,直接用真空热蒸发方法将Ag层蒸镀于该区域的n-Si基片上,制备得本器件。经测试,本器件显示出良好的光伏特性,室温下最好,当温度在270 K(-3℃)以上时,温度对光伏效应的影响很小,具有受环境温度影响小,工作稳定度高的优点。

商品类型 专利 申请号 ZL201410162603.1 IPC分类号
H01L31/0216(2014.01)I
专利类型 发明 法律状态 有权 技术领域
电子信息
交易方式 技术转让 专利状态 已授权 专利权人
淮阴师范学院
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